圖1壓敏電阻本人的切換電壓取決于電極間均勻晶粒的數量。壓敏電阻的晶體布局沒有偏向性，是以，壓敏電阻是雙極性器件。它們體現出的電子個性，如對稱性、尖峰電壓擊穿個性，相通于背對背齊納二極管。傳統的觀念以為壓敏電阻在高電流重復脈沖下會招致電氣機能的升級，（分外是低落了其鉗位機能，添加了它們的泄電流）。有一段時間，壓敏電阻制造商要求應用大晶粒的陶瓷因素。大晶粒尺寸使得單位面積的電極有更少的晶體鴻溝和電極之間有更長的電流路子。單位面積電極上的勾串電阻絕對較高，招致成比例地低落峰值電流的容量。對在低電壓下任務的壓敏電阻表面貼裝片，要求應用緊密晶粒陶瓷因素，這個須要能夠在多層布局下完成。當這一方針完成后，絕對付多層布局供給的元件表面，銜接到大電極面積上的細小荒僻冷僻均的晶粒使得單位元件體積內峰值電流容量大幅的添加。多層壓敏電阻器（mlvs）的電流和能量比絕對付其他壓敏類型是特別很是波動的，而今可能展現mlvs能夠經受住成千上萬次全額定電流峰值襲擊，而機能不升級。速度與過沖各類瞬態保護技術的元件制造商愿望給與他們喜好的產品，反應速度、或不給與往常成為壓敏電阻思索的題目。壓敏電阻基底材料的響應時間要遠遠少于500皮秒。局部晚期壓敏元件反應時間低落的重要因素是制品封裝時誘發的寄生電感。在布局中應用了25至50毫米的引線，其體現出0.6nh/mm的電感，而高自感構成徑勾引線壓敏電阻的個性。而今，多層布局已消除引線，一個典范榜樣的電感為1200ph量級的1206mlv芯片的響應時間不超過1納秒。其他元件的設置，若是成為濾波電容器的布局，對付壓敏電阻是合適的，其等效勾串電感（esls）應低至30ph。這些為響應時間升高到幾十皮秒供給了可行性。壓敏電阻布局中固有自電感（l）所形成的另外一個題目是電壓過沖。因為壓敏電阻自感（l）的啟事誘發變化的電流（di/dt），會爆發-ldi/dt的電壓。在電壓尖峰，壓敏電阻器大將泛起一個過沖（鉗位電壓和壓敏電阻自感爆發的認為電壓之和）。縮小mlv濾波器布局中自感傷數十ph，能夠消除所擔心的電壓過沖。emi濾波器針對輻射無效的辦法是樊籬。輻射噪聲能量被樊籬體吸收并以熱的事態流失。針對傳導無效的辦法是emi濾波器，將傳導能量從受保護系統轉到地里。（圖2）。emi濾波器由電容器和電感器構成，把持其不同的阻抗個性，來決定性的縮小沒必要要的信號。
圖2濾波器是雙向的。它禁止不想要的信號遠離系統，同時也禁止該系統向外發射噪聲。而今一個對照寬泛的做法是將濾波器裝在設備的電路板上，但最無效的照舊將濾波器擱置在設備樊籬體的出口和入口。銜接器能夠將電源和信號電纜并在一路，這樣它們進入設備樊籬體只在一個點處。在銜接器內每個接觸的處所，均能夠構成一個濾波器，按照系統的要求能夠是c，t，l或pi型布局。因為濾波銜接器的應用能夠去掉電路板級的濾波器電路，從而可低落全體系統的尺寸和份量。同時，因為焊點數量的縮小，系統的穩定性獲得進步。多層平面電容陣列多層平面陣列是一種特定的用于emi濾波銜接器的元件方案模式。一個陶瓷塊內蘊含有多種電容器。單個接線都是通過通孔銜接到每個電容器，并且在器件范疇內都銜接到地。當信號沿多條路子到地時體現出無比低的阻抗（圖3）。銜接器的每個討論銜接到一個或多個陣列內的孔上。在每個孔里有一個電容器——‘熱電極’與周圍的全體銜接起來，空中電極籠罩全體平面并且和銜接器外殼通過平面周邊銜接起來（圖4）。
圖3
圖4（原文圖上翰墨看不領略）以平面為基礎的濾波銜接器適用于悉數mil－std銜接器方案。銜接器的狀況（該平面陣列的形狀必須同等）均為圓形或長方形。經常使用的矩形方案蘊含d-sub和高密度d-sub和微ds，arinc404s和arinc600。不規矩狀況也能夠。相應的平面尺寸是：從5毫米見方到75毫米直徑。接觸數量從2個到200多個。標準的接觸范疇從0.3毫米直徑向上到同軸電纜——全數能濾波。標準接觸程度從0.63毫米開端。平面陣列內，有多達6種不同的、沒有任何比率相干電容值能夠布置在版面上。每個平面能夠指定不同的任務電壓，一個典范榜樣300伏額定直流電的平面能夠經受高達750伏的瞬態峰值。瞬態手段達3000v必要指定。個別的孔也許是絕緣的（饋入點）或接地。能夠指定最大為10mω的地平面電阻，并且串擾電容能夠限定在10pf或更小。平面陣列的煩復性不在于煩復的電氣要求以便構成單個元件，而在于制造該器件的機器精度。典范榜樣征兆下，銜接器的引腳地位精度必須優于±0.05毫米，而平面陣列必須有類似的或更好的公差。平面必須在陶瓷煅燒以前完成（成形和鉆孔），在煅燒時它們會緊縮，一般是百分之二十左右。30毫米直徑平面煅燒后引腳的地位絕對付中心基準點移動最多超過2.5毫米，也等于說它是管腳公差準許值的50倍！平面陣列是一種最早進的無源器件。每個器件領有多個電容器，多個電容值以及多種電氣機能的替代品，它等于一種原始的集成無源元件。多層壓敏電容陣列低電壓時多層壓敏電阻的效率像電容器。晶體顆粒的鴻溝是絕緣的，體現出介電材料個性。mlv的無效介電常數約800，是典范榜樣的x7r多層電容器介質介電常數的四分之一到三分之一。從壓敏變阻器獲得的電容值是低于那些傳統的電容器。鑒于這些是常例多層電容器技術所能獲得的低端產品，從總價值看，mlv的濾波機能與一個電容器比擬是無辨別的。當運用于濾波器時，壓敏電阻供給了額定的瞬態保護機能。它將暫態電壓脈中所載的能量消費成熱（圖5）。高導電氧化鋅顆粒作為散熱器可確保全體器件中迅速荒僻冷僻均地散熱，并只管縮小溫度回升（可是壓敏電阻只能夠消費大宗的均勻功率，不安妥運用在中綴功率消費上）。
圖5已有究竟標明，能夠建造一種多層布局，不具備多層電容元件布局，于是不能重復用作壓敏電阻。這些煩復的構成局部歸入到起保護作用的emi濾波銜接器（蘊含插頭和插座）和濾波適配器。他們能夠用于替代或調解在c，l，t或pi濾波器布局中的電容器。
