在愛普科斯mlv中，能量的80%左右被吸收在元件體積中，但是，在tvs二極管中只要30%。是以，為了失掉類似的性能，這就要求需要鮮明較低矮的空間。愛普科斯mlv其它所擁有的鮮明劣勢等于它的降溫幅度。這些元件的降溫幅度達85?c。一些稀罕的元件甚至能夠達到150 ?c。分外是對付智能手機的斥地來說，這是一個無比關鍵的因素，因為功率鐫汰器的耗費，會招致手機外部的溫度高達85 ?c 。在tvs二極管中，降溫是從25 ?c開端的，當達到85 ?c，它們的吸收功率降到只要原始值的50%（圖2）。同時，當波及到掌握高溫任務環境時， mlv分明是一個更優的處置規劃。mlv的該項性能曾經通過測試和模仿以及通過智能手機制造商的驗證。圖2：愛普科斯(epcos) mlv和tvs 二極管的降額對照
愛普科斯mlv依然能供給穩定的esd保護，甚至在溫度分明高于25 ?c時。相反，對付tvs二極管，降溫是從25 ?c時開端的，這招致其在高溫機會能大大低落。與擁有類似性能等第的tvs二極管比擬，高度集成的mlv元件供給更好的插入損失，因為這些mlv元件的寄生電感要低得多。這是因為tvs處置規劃需要分內的配有引腳和低廉的外部接合線的外殼。mlv元件只要0.1 納亨的更低電感系數，譬喻，在新的0201系列（圖3）對鉗位電壓水平也起到了一個踴躍的作用。mlv處置規劃還分外供給了無比好的性能，通過把持回升的esd脈沖電壓，同時mlv元件的鉗位電壓比tvs二極管中的要低10%到30%之間（圖4）。mlv的響應速度也很快：它們達到納秒級的超短響應時間，而且要比tvs二極管的響應速度快約30%。圖3：愛普科斯(epcos)多層壓敏電阻
0201新系列的關鍵數據尺寸【毫米】壓敏電阻直流電壓【伏】電容值【皮法】泄電流【微安】鉗位電壓（1安） 【伏】峰值電壓（8 千伏接觸電壓） 【伏】0.6 ? 0.313 至 227 至 150.133 至 6660 至 80圖4：鉗位電壓用作esd脈沖電壓
基于mlv的處置規劃與tvs二極管比擬能供給越發分明的較低鉗位電壓，分外是在較高的esd脈沖電壓中。電路方案稀罕決定性能因為在納秒范疇內，靜電放電是一種高度動靜的歷程，是以防護性元件的性能也不應當被孤立。相反地，需要思索的是這類防護性元件與外圍設備和全體系統之間的互相作用。除了思索電路板盤算以外，其它分立元件和銜接器也必需要思索。圖5顯示了用在智能手電機路中的愛普科斯mlv的丈量成就與它的競爭對手產品的丈量成就之間的對照。很顯著，即使有類似的方案和電性值，在一個特定電路之中的元件性能都有著鮮明懸殊。在大多半來自不同制造商的不同代智能手機的敏感輸入接口中，譬喻耳機或on/off 開關接口中，mlv元件分明有著越發優質的esd保護性能。在一個特定電路中，新的愛普科斯mlv要比競爭對手的產品有分明更好的電壓峰值和鉗位電壓值。圖5：愛普科斯(epcos) mlv與競爭對手產品對照
新的愛普科斯mlv的電壓峰值和鉗位電壓值絕對照競爭對手分明更好。
